[이 글은 경제·산업·기업 등을 공부하면서 알게 된 여러 내용을 제 나름대로 요약·정리하며 쓴 글입니다.
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[간단요약]
1. GaN 트랜지스터와 GaN 전력증폭기를 중심으로 하는 통신장비사업을 주로 하는 기업이다.
2. 반도체 통해 방산과 우주항공쪽으로 포트폴리오를 다변화하고 있다.
3. 실적이 앞으로 좋아질 것으로 판단하고 있다.
4. PBR밴드로 역사적 하단에 근접해 있다.
[기업정보]
*GaN 트랜지스터와 GaN 전력증폭기를 주력 제품으로 하고 있는 반도체 기업.
-GaN(Gallium Nitirde, 질화갈륨): 실리콘(규소)의 한계를 뛰어넘는 차세대 반도체 소재로 기존 30여 년 동안 시장을 장악한 실리콘 기반 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 소자보다 효율이 10% 정도 높고, 제품 크기는 최대 절반, 전력 사용량은 20% 정도 절감할 수 있는 강점을 가진 소재.
-국내에서 유일하게 GaN 트랜지스터를 생산하고 있음.
-무선 통신장비 시장에서 전량 수입에 의존했던 전력증폭기를 국산화함.
*전력증폭기
-무선 통신장비 송수신단에서 신호를 증폭시켜주는 역할을 하는 매우 중요한 부품.
-무선 통신기술 특성상 원하는 위치에서 원하는 신호를 송수신하기 위해 날씨, 지형 등 외부 간섭에 의해 신호가 변형되거나 소멸하는 등의 왜곡이 발생하지 않도록 증폭시켜줘야 하기 때문에 무선 통신장비에서는 매우 중요한 부품.
-인공위성, 기상, 방위산업용 레이다 등 활용 범위가 매우 다양함.
*고객사 & 파트너
-삼성전자, 노키아, Wolfspeed, ERICSSON, 화웨이, RAYTHEON, BAE SYSTEMS U.K., NORTHROP GRUMMAN, Varian Medical System, 록히드마틴, LIG넥스원, 한국핵융합에너지연구원, 한국전기연구원
[주요사업]
1. 무선 통신 사업부문
(1)GaN 트랜지스터
*약한 전기 신호를 크게 증폭하는 반도체 부품.
*소재 특성으로 인해 3GHz 이상의 고주파에서 효율과 성능이 우수.
*무선 통신 시스템의 주요 구성요소인 이동통신 기지국 및 중계기의 송수신단에서 주료 사용.
*레이더, 위성통신, 선박 등 다양한 분야에도 적용이 가능함.
*에너지 밴드 갭이 넓어 높은 출력에서 고효율을 발휘할 수 있음.
*전력 밀도가 높아 제품의 소형화가 가능함.
(2)통신용 GaN 전력증폭기
*휴대용 무선 통신, 5G Massive MIMO용 기지국, 초소형기지국, Point-to-Point 애플리케이션에 적용하기 위해 개발.
*COB(Chip On Board) 공정으로 GaN 웨이퍼를 질화 알루미늄 (AlN) 기판 상에 올리는 방식으로 제작.
*위성통신, LTE, WCDMA, WiMAX, Point-to-Point 및 레이더 등 다양한 분야에 활용 가능함.
2. 방위산업 사업부문
(1)레이더용 GaN 전력증폭기
*레이더 시스템의 송수신부 또는 안테나 장치에 장착되어 제어부의 명령을 받아 RF(Radio Frequency) 송신출력을 안테나로 공급하는 필수장비.
*GaN 트랜지스터를 이용한 회로 기판으로 구성된 SSPA(Solid State Power Amplifier)형태로 제작.
*50V의 낮은 전압에서 동작하 기존 진공관 대비 효율이 우수하고 소형화에 유리함.
3. RF 에너지 사업부문
(1)Microwave Generator
*자체 생산한 다수의 GaN 전력증폭기와 이를 위한 전원공급장치(Power Supply Unit) 및 GaN 전력증폭기와 전원공급장치를 제어하는 제어 모듈을 포함하는 시스템.
*원하는 주파수를 선택적으로 가변해 사용 가능함.
*불필요한 노이즈가 적어 신호 특성이 우수하고 소형화에 유리함.
*공업용 설비, 기초 과학 연구시설, 의료기기 등 마이르코파를 사용하는 다양한 분야에 사용 가능함.
4. 위성통신 사업부문
*GaN 트랜지스터 또는 GaN MMIC가 실장된 캐리어와 전기적으로 연결되는 회로 기판으로 구성된 SSAP(Solid State Power Amplifier) 형태로 제작.
*기존 진공관에서만 구현할 수 있었던 고출력의 성능과 넓은 대역폭을 구현해 소형 및 경량화에 유리함.
*자외선, 우주 방사선, 극저온 온도 등 극한의 우주환경에서 운용이 가능하도록 구조 해석 및 설계가 되어 차세대 소형 위성에 탑재됨.
[참고자료]
반도체 웨이퍼 소재 발전
(1)게르마늄
-우수한 전자 이동 속도
-온도에 민감해 고온에서의 신뢰성이 떨어짐.
(2)실리콘(규소)
-열에 대한 저항성이 뛰어나고 안정성 유지하는 특성으로 넓은 온도 범위에서 작동하게 해줌.
-지구에 풍부하게 있어 원재료 단계에서의 생산 비용 절감됨.
-현재 가장 널리 사용되고 있고, 다양한 전자 제품의 핵심 구성 요소.
-높은 주파수나 광대역폭이 필요한 고성능 어플리케이션에서는 성능이 제한적.
(3)화합물 반도체
-고온에서도 전기적 성질 유지.
-광전자 소자 및 광통신 분야에서 실리콘 대체 가능.
-전기차 발전과 태양광 에너지 설비 투자로 관심을 크게 받고 있는 화합물.
①갈륨 아세나이드(GaAs)
-뛰어난 전자 이동성과 주파수 응답을 가지고 있음.
-휴대폰, 위성 통신, 무선 네트워크 장비의 RF 전력증폭기 같은 고주파수 부품에 널리 사용.
②인듐 갈륨 아세나이드(InGaAs)
-광통신 분야에서 중요한 역할을 함.
-높은 광감도와 우수잔 전자 특성으로 고속 광수신기와 같은 장비에서 광신호를 전기신호로 변환하는 데 좋음.
③질화갈륨(GaN)
-높은 전력 밀도와 효율 제공.
-강력한 내구성과 고온에서도 높은 성능을 유지하는 특성으로 통신 분야에서 빠르게 중요성이 증가하고 있음.
-군사 및 상업적 레이더 시스템, 위성 통신, 무선 데이터 통신에서 RF 전력증폭기로 사용.
에너지 밴드갭
*가전자대와 전도대 사이의 에너지 차이.
*가전자대(valence band)
-반도체 내부에서 전자가 존재할 수 있는 에너지 준위 영역.
-전자가 원자에 결합되어 있는 상태.
*전도대(conduction band)
-전자가 자유롭게 이동할 수 있는 상태
*밴드갭이 작다
-전자가 쉽게 전도대로 이동해 전류가 잘 흐르는 반도체가 됨.
-약간의 에너지 증가로도 전자가 가전자대에서 전도대로 쉽게 이동해서 재료의 전기적 특성이 변하게 됨.
-성능 저하나 신뢰성 감소로 이어질 수 있음.
*밴드갭이 크다
-전자의 이동이 어려워 전기가 잘 통하지 않는 절연체의 성질을 띄게 됨.
-고온과 같은 특정 환경에서 안정적으로 작동하는 전자 장치를 만들기에 유리한 조건.
-밴드갭이 크면 에너지 증가가 있더라도 전자가 전도대로 이동하기 위해서는 훨씬 더 많은 에너지가 필요해 전도성이 그대로 유지되어 반도체로서 안정적인 성능을 보장함.
[출처]
1. RFHIC 분기보고서 2024.05.16.
2. RFHIC 한국IR협의회 보고서 2024.05.17.
3. RFHIC 홈페이지 RFHIC - Innovators of GaN SSPA & Microwave Solutions
RFHIC - Innovators of GaN Device to Subsystem Solutions
RFHIC a leader in designing and manufacturing gallium-nitride (GaN) based RF & MW solutions for 5G, Defense Radar, RF Energy applications
rfhic.com
[개인해석]
5G 투자가 잘 안되고 있는 상황에서 RFHIC의 주요 고객사인 화웨이가 제재를 받으면서 매출에 타격을 입었죠. 그렇게 주가가 쭉 떨어져왔고 실적도 별로 좋지 못했습니다.
그런데 이제는 PBR 밴드로 하단에 위치해 있고 실적도 더이상 낮아지지 않고 돌아설 것으로 판단하고 있습니다. 게다가 포트폴리오가 다변화되면서 통신뿐만 아니라 반도체, 방산, 위성까지도 뻗어있게 되어서 성장이 가시화되고 있습니다. 아무래도 더이상 잃을 곳이 없는 주가 위치에다가 실적도 돌아설 수 있다고 하니 좋아보일 수 밖에 없어 보입니다.
[저는 기업들을 제 나름대로 공부하면서 그 공부한 것을 정리하는 사람입니다.
저는 한 사람의 투자자일뿐, 투자 전문가가 아닐 뿐더러 기업분석 전문가도 아니라는 것을 말씀드립니다.
모든 투자 판단은 본인이 해야하며, 그 책임 또한 본인에게 있음을 알려드립니다. ]
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